Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Одјави
Македонски
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Дома > Вести > Фабриката Киоксија Фаб7 започна со изградба! Првата фаза од изградбата ќе заврши следната пролет

Фабриката Киоксија Фаб7 започна со изградба! Првата фаза од изградбата ќе заврши следната пролет

На 25 февруари, Киоксија објави дека одржал темелна церемонија во својата фабрика во Јокаичи, префектурата Мие, Јапонија, и официјално се проби на најнапредната фабрика за полупроводници (Фаб7).

Во соопштението се наведува дека фабриката ќе стане една од најнапредните фабрики за производство во светот, посветена на производството на нејзината комерцијална 3Д флеш меморија BiCS Flash TM. Изградбата на новата фабрика ќе биде поделена во две фази, чија прва фаза е предвидено да заврши во пролетта 2022 година.


Новата фабрика во Фаб7 е заедничко вложување помеѓу Киоксија и Вестерн Дигитал. Adoptе донесе структура која апсорбира амортизација и еколошки дизајн, вклучувајќи ја и најновата опрема за производство што штеди енергија. Фабриката дополнително ќе го подобри вкупниот производствен капацитет на Kioxia преку воведување напреден систем на производство на AI.


Фабрика Киоксија Фаб7

Пред ова (20 февруари), Киоксија и Вестерн Дигитал објавија дека двете страни соработувале во развојот на технологијата за 3Д флеш меморија од шестата генерација со 162 слоеви. Во соопштението беше истакнато дека ова е досега најголема густина и најнапредна 3Д флеш меморија технологија на двете компании. Во споредба со технологијата од петтата генерација, густината на хоризонталната ќелија се зголеми за 10%. Во споредба со технологијата за редење 112 слоја, овој напредок на хоризонталното скалирање во комбинација со 162 слојот со вертикална меморија за редење ја намалува големината на чипот за 40% и ги оптимизира трошоците.

Киоксија рече дека успешно воспостави соработка со Western Digital за многу години и се надева дека ќе продолжи да инвестира во фабриката Fab7, вклучително и создавање на шестата генерација на 3Д-флеш меморија.